ホール素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995311118
Publication number (International publication number)：1997148649
Application date： Nov. 29, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明は、ホール効果の高効率化及びワンチップ化した他の所要の回路への磁界の影響を少なくすることを目的とする。【解決手段】横型のホール素子1において、印加される外部からの磁界7を半導体活性層表面に集磁する集磁手段2を設けたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、該半導体基板とは逆の導電型の半導体活性層を形成し、該半導体活性層表面に平行に電流を流す2つ以上の電流端子を前記半導体活性層の離隔した位置に形成し、前記半導体活性層表面に垂直方向に磁界を印加した状態で前記電流端子から電流を流したとき誘起されるホール電圧を取り出す2つ以上のセンサ端子を前記半導体活性層の離隔した位置に形成してなるホール素子において、印加される外部からの前記磁界を前記半導体活性層表面に集磁する集磁手段を設けてなることを特徴とするホール素子。

IPC (2)：

H01L 43/06 , G01R 33/09

FI (3)：

H01L 43/06 S , H01L 43/06 P , G01R 33/06 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特表昭62-502927
磁電変換素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-018928 Applicant：昭和電工株式会社
特開昭51-083483

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