Pat

J-GLOBAL ID：200903000294024455

改良した誘電特性を有する電子回路構造

Inventor： コンスタンティン ケー.バーデル ,  ユアニン チェン
Applicant, Patent owner： アギア システムズ ガーディアン コーポレーション
Agent (1)： 岡部 正夫 (外11名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001262547
Publication number (International publication number)：2002164343
Application date： Aug. 31, 2001
Publication date： Jun. 07, 2002
Summary：

【要約】【課題】 改良した誘電特性を有する半導体デバイスと半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 CMOS回路では層10の上表面に沿って、多数のNウエル領域12およびPウエル領域14が形成される。領域12a、12b、14a、および14bは、領域18により、互いに電気的に分離している。MOS形FETは領域12および領域14のいずれにおいても形成が可能である。デジタル回路において、CMOS論理回路を取り込むために、個々の領域12および領域14を形成することが可能である。Nウエル領域12のペアはPウエル領域14のペアの隣に形成され、そして、MOSFETが領域12aおよび領域14aにおいて製造される。形成された領域12および領域14とともに、層10の上表面はパッド酸化膜が取り除かれ、層10の表面に高品質シリコン酸化膜22が厚さ約60Åまで熱成長を行う。

Claim (excerpt)：

トランジスタの形成に適した半導体層から成り、かつ、該半導体層上に形成された半導体デバイスであって、第一表面とこれに対向する第二表面、第一表面に沿った第一表面領域、第二表面に沿った第二表面領域、および、第一表面領域と第二表面領域との間にある中間領域とを有する絶縁層を有し、該絶縁層の材料は、第一表面沿いよりも中間領域にて濃度の大きい種を含んでいることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (7)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78

FI (6)：

H01L 21/316 P ,  H01L 27/08 321 A ,  H01L 21/265 Y ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/08 321 D

F-Term (56)：

5F038AC03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC16 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BE03 ,  5F048BF01 ,  5F048BF03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF11 ,  5F048BG14 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BH01 ,  5F058BH15 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA24 ,  5F140AB03 ,  5F140AB09 ,  5F140AC39 ,  5F140BA01 ,  5F140BD06 ,  5F140BD15 ,  5F140BD17 ,  5F140BE01 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE13 ,  5F140BE15 ,  5F140BE16 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ18 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK13 ,  5F140BK15 ,  5F140BK16 ,  5F140BK29 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC08