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J-GLOBAL ID：200903000296439644

半導体装置の製造方法

Inventor： 黒 勇旗
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 堀口 浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006010423
Publication number (International publication number)：2007194376
Application date： Jan. 18, 2006
Publication date： Aug. 02, 2007
Summary：

【課題】 ボンディングワイヤを用いずに小型化された半導体装置の製造方法の工程を減らすことができ、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 金属板10上に半導体素子20を固定する工程と、金属板10上の半導体素子20表面にバンプ30を設ける工程と、バンプ30と接触するように、金属板10上に金型40を設ける工程と、金属板10と金型40の間に樹脂50を封止する工程と、金型40を取り除き、バンプ30と電気的に接続するように、金属板70を設ける工程と、金属板10上に固定された半導体素子20ごとに、金属板10、金属板70及び樹脂50を切断する工程を備えることを特徴としている。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

第1の金属板上に少なくとも一つの半導体素子を固定する工程と、 前記第1の金属板上の前記半導体素子表面にバンプを設ける工程と、 前記バンプと接触するように、前記第1の金属板上に金型を設ける工程と、 前記第1の金属板と前記金型の間に樹脂を封止する工程と、 前記金型を取り除き、前記バンプと電気的に接続するように、第2の金属板を設ける工程と、 前記第1の金属板上に固定された前記半導体素子ごとに、前記第1の金属板、前記第2の金属板及び前記樹脂を切断する工程と、 を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1)：

H01L 23/48

FI (1)：

H01L23/48 F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-361998   Applicant：三洋電機株式会社