半導体装置の製造方法

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996058865
Publication number (International publication number)：1997251967
Application date： Mar. 15, 1996
Publication date： Sep. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】サリサイドプロセスを有する半導体装置の製造方法に関し、底面でスパイクが生じ難いコバルトシリサイド層を形成すること。【解決手段】シリコンよりなる不純物拡散層9の上層部にイオン注入により非晶質層11を形成し、さらにコバルト膜12を不純物拡散層9の上に形成した後に、1回目の熱処理によりコバルト膜12と不純物拡散層9内のシリコンとを反応させてその非晶質層11の上層部に低温でCoSi又はCo2Si よりなるコバルトシリサイド層14を形成し、続いて未反応のコバルトを除去し、ついで2回目の熱処理によってコバルトシリサイド層14を構成するCoSi又はCo2Si をCoSi2 に変化させて低抵抗化するとともに、コバルトシリサイド層14を初期の非晶質層11の深さと同じかそれよりも深く入り込ませる工程を含む。

Claim (excerpt)：

シリコン層の上層部に不純物を導入し、熱処理により不純物拡散層を形成する工程と、前記不純物拡散層の上層部に元素をイオン注入することにより非晶質層を形成する工程と、前記非晶質層の上にコバルト膜を形成する工程と、前記コバルト膜と前記不純物拡散層を第1の温度により加熱して、前記非晶質層の上層部にCo2Si 又はCoSiよりなるコバルトシリサイド層を形成する工程と、前記不純物拡散層内のシリコンと反応しなかった前記コバルト膜を除去する工程と、前記コバルトシリサイド層及び前記不純物拡散層を第2の温度により加熱することにより、前記Co2Si 又はCoSiをCoSi2 に変化させるとともに、前記コバルトシリサイド層を前記非晶質層と同じ深さまたは前記非晶質層より深く形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (3)：

H01L 21/28 301 S , H01L 21/88 Q , H01L 27/08 321 F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体集積回路の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-041758 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-331716 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-283677 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (3)

半導体集積回路の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-041758 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-331716 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-283677 Applicant：株式会社東芝

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