Pat
J-GLOBAL ID：200903000305390122
動作素子の真空封止の構造およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
五十嵐 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995329738
Publication number (International publication number)：1997148467
Application date： Nov. 24, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：
【要約】【課題】 製造途中で、基板6の高温(600 °C以上)加熱による基板6上の導体パターンや電極の損傷や、基板6の加熱温度と冷却後温度との差が激しいことによる外殻の歪みや亀裂を防止し、外殻内部の犠牲層のエッチング除去を完璧に行うことが可能で、しかも、動作素子(振動体)2を動作させるための電極と外殻との間に浮遊容量が発生しない動作素子の真空封止の構造を提供する。【解決手段】 基板6の面上12に振動体2を、その上側に振動体2を覆う犠牲層5a,5b,5cをそれぞれ形成する。その上側に酸化シリコン膜10aを基板6を250 °C以下に加熱した状態で成膜する。次に、酸化シリコン膜10aに設けた貫通孔7からエッチング液を浸入させ犠牲層5a,5b,5cをエッチング除去し、真空中で酸化シリコン膜10aの内部8を真空にし、酸化シリコン膜10bを成膜して外殻3を完成させると共に貫通孔7を閉鎖し振動体2を真空封止する。
Claim (excerpt)：
基板の素子形成面に動作素子が形成され、この動作素子の形成領域の上側は外殻によって覆われて、外殻の内部は真空空間と成し、前記動作素子が前記外殻の真空空間内に収容封止されており、前記外殻は酸化シリコンを主成分とした膜で形成されていることを特徴とする動作素子の真空封止の構造。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 23/02 B
, H01L 23/08 A
