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J-GLOBAL ID:200903000306155950

薄膜組成物とこれを用いたX線露光用マスク

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992164446
Publication number (International publication number):1993326380
Application date: Jun. 23, 1992
Publication date: Dec. 10, 1993
Summary:
【要約】【目的】 薄膜デバイス、特に、X線露光用マスクのX線吸収体に適した、内部応力の低い薄膜を得ること。【構成】 Taと、WあるいはMo金属からなる金属板をターゲットとし、アルゴンガスをスパッタガスとしたスパッタ法を用い、Ta-W、Ta-Mo薄膜組成物中のW、Mo含有量が各々5〜25、5〜30at%である薄膜組成物を形成する。これにより、内部応力の低い薄膜組成物を得ることができ、X線露光用マスクのX線吸収体への適用により、露光対象物のパターン精度を向上できる。
Claim (excerpt):
転移現象により複数の結晶構造を取り得る物質と、複数の結晶構造を取り得る物質への添加により転移現象を誘起する物質とを主体とし、結晶構造が転移する以前の結晶構造と転移後の結晶構造とが混在したことを特徴とする薄膜組成物。
IPC (2):
H01L 21/027 ,  G03F 1/16
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特開平2-002109

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