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J-GLOBAL ID：200903000312140670

スパッタリングターゲット及びスパッタリング方法

Inventor： 井浦 重美 ,  川俣 健
Applicant, Patent owner： オリンパス株式会社
Agent (5)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  高柴 忠夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004255380
Publication number (International publication number)：2006070324
Application date： Sep. 02, 2004
Publication date： Mar. 16, 2006
Summary：

【課題】 光吸収のない金属フッ化物膜を一定の成膜速度で形成することができるスパッタリングターゲット及びスパッタリング方法を提供する。【解決手段】 スパッタリングに用いられるターゲット電極は、バッキングプレート3の上に石英板2を介してターゲット1が固定されている。バッキングプレート3には、冷却用配管が設けられており、ターゲット1の下面を冷却するようになっている。ターゲット1は、MgF2からなり、その密度は、MgF2のバルク密度に対して90%以上のものが使用される。【選択図】 図1

Claim 1：

基板上に薄膜を形成するために用いられるスパッタリングターゲットであって、ターゲット材料が金属フッ化物であり、その密度がバルクの密度の90%以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/06

FI (4)：

C23C14/34 A ,  C23C14/34 M ,  C23C14/34 S ,  C23C14/06 G

F-Term (6)：

4K029BA42 ,  4K029BC07 ,  4K029CA05 ,  4K029DC02 ,  4K029DC05 ,  4K029DC26

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• スパッタリング用ターゲット装置とスパッタリング方 法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-198602   Applicant：オリンパス光学工業株式会社