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J-GLOBAL ID：200903000317471560

タングステンスパッタリングターゲット

Inventor： 渡邊 光一 ,  渡辺 高志 ,  鈴木 幸伸 ,  藤岡 直美 ,  石上 隆 ,  高阪 泰郎 ,  小松 透
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 波多野 久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001369989
Publication number (International publication number)：2003171760
Application date： Dec. 04, 2001
Publication date： Jun. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】大型の基板上に成膜した場合においても、W膜の比抵抗の面内均一性を3%以下に低減することが可能となるタングステンスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】ターゲットの相対密度が99%以上であり、かつビッカース硬度が330Hv以上であり、かつターゲット全体のビッカース硬度のばらつきが30%以下であることを特徴とするタングステンスパッタリングターゲットである。

Claim (excerpt)：

ターゲットの相対密度が99%以上であり、かつビッカース硬度が330Hv以上であり、かつターゲット全体のビッカース硬度のばらつきが30%以下であることを特徴とするタングステンスパッタリングターゲット。

IPC (4)：

C23C 14/34 ,  C22C 27/04 101 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285

FI (4)：

C23C 14/34 A ,  C22C 27/04 101 ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/285 S

F-Term (9)：

4K029AA02 ,  4K029BA23 ,  4K029BD02 ,  4K029DC03 ,  4K029DC21 ,  4K029DC22 ,  4K029DC24 ,  4M104BB18 ,  4M104DD40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• スパッターターゲット材及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-013072   Applicant：東京タングステン株式会社
• タングステンまたはモリブデンターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-007153   Applicant：日立金属株式会社
• スパッタリングターゲット及びその製作方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-140838   Applicant：菱化マッセイ株式会社
• スパッタリングターゲットの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-306201   Applicant：三菱化成株式会社
• 高融点金属スパッタターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-018400   Applicant：東京タングステン株式会社