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J-GLOBAL ID:200903000318449592
半導体化学センサ及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
安藤 淳二 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000052749
Publication number (International publication number):2001242132
Application date: Feb. 29, 2000
Publication date: Sep. 07, 2001
Summary:
【要約】【課題】 チップ面積を小さくできる構造の半導体化学センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 第1導電型不純物基板2の第1主面21にゲート絶縁膜3を介して化学量感応膜4、5を有する半導体化学センサ1において、前記第1主面21にソース用第1導電型高濃度不純物層6及びチャネル用第2導電型不純物層8を有し、前記基板2の第2主面22にドレイン用第1導電型高濃度不純物層7を有することを特徴とする半導体化学センサ。及び前記半導体化学センサの製造方法。
Claim (excerpt):
第1導電型不純物基板の第1主面にゲート絶縁膜を介して化学量感応膜を有する半導体化学センサにおいて、前記第1主面にソース用第1導電型高濃度不純物層及びチャネル用第2導電型不純物層を有し、前記基板の第1主面と反対側の主面である第2主面にドレイン用第1導電型高濃度不純物層を有することを特徴とする半導体化学センサ。
IPC (2):
FI (4):
G01N 27/30 301 W
, G01N 27/30 301 V
, G01N 27/30 301 R
, H01L 29/78 301 U
F-Term (4):
5F040DA00
, 5F040DC01
, 5F040EB13
, 5F040EB15
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