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J-GLOBAL ID：200903000321884917

半導体装置の製造方法

Inventor： 佐藤 淳一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992075733
Publication number (International publication number)：1993243167
Application date： Feb. 28, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ドライエッチングやCVDの過程でプラズマ装置内に生成する堆積性の反応生成物を効率良く除去し、パーティクル汚染の発生やスループットの低下を防止する。【構成】 プラズマ・エッチング装置の処理チャンバ内でS2 F2 ガスを放電解離させ、上部電極1や筐体4の内壁面、ウェハ・ステージ7等の表面に予めS(イオウ)14を堆積させておく。続いて、たとえばサンプル・ウェハ15のSiO2 層をc-C4 F8 ガスを用いてエッチングする。この過程でプラズマ中に生成する炭素系ポリマー16は、S14の上に堆積する。エッチング終了後にヒータ11,12をONとすれば、S14の昇華に伴って炭素系ポリマー16も容易に剥離・脱落する。チャンバ内壁面をプラズマから遮蔽する防着板を設けたり、S14の代わりに窒化イオウ系化合物17を堆積させておいても良い。

Claim (excerpt)：

プラズマ装置の処理チャンバの内壁面および/または内部構成部材の少なくとも一部を昇華性の堆積物層により被覆する工程と、前記処理チャンバ内で基板に対して所定のプラズマ処理を行う工程と、前記プラズマ処理において発生し前記堆積物層の上に堆積した反応生成物を、前記処理チャンバの内壁面および/または内部構成部材の少なくとも一部を加熱することにより該堆積物層と共に除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/31