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J-GLOBAL ID:200903000323279859
成膜方法及び半導体装置の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
河野 登夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002072906
Publication number (International publication number):2003273134
Application date: Mar. 15, 2002
Publication date: Sep. 26, 2003
Summary:
【要約】【課題】 導電率が異なる酸化亜鉛膜を容易に成膜する成膜方法、及び該成膜方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ノンドープの酸化亜鉛ターゲットを用い、また、放電ガスとしてArガスと酸素ガスとを用い、スパッタ法によって酸化亜鉛膜を形成する。酸化亜鉛膜の導電率を連続的に増大(減少)させる場合は、成膜時の酸素ガスの分圧を連続的に減少(増加)させる。また、導電率が高い酸化亜鉛膜と低い酸化亜鉛膜とを交互に積層する場合は、酸素ガスの分圧を低くして酸化亜鉛膜を成膜し、次に、前記分圧を高くして前記酸化亜鉛膜上に新たな酸化亜鉛膜を成膜する。
Claim (excerpt):
スパッタ法によって酸化亜鉛膜を形成する成膜方法において、ターゲットとしてノンドープの酸化亜鉛を用い、放電ガスとして不活性ガス、酸素ガス、又は不活性ガスと酸素ガスとの混合ガスを用い、成膜中に酸素ガスの分圧を増減させることを特徴とする成膜方法。
IPC (8):
H01L 21/363
, H01L 21/28 301
, H01L 21/285
, H01L 21/336
, H01L 29/786
, H01L 41/18
, H01L 41/24
, C23C 14/08
FI (8):
H01L 21/363
, H01L 21/28 301 Z
, H01L 21/285 S
, C23C 14/08 C
, H01L 29/78 618 A
, H01L 29/78 618 B
, H01L 41/22 A
, H01L 41/18 101 Z
F-Term (34):
4K029AA24
, 4K029BA49
, 4K029BD02
, 4K029CA06
, 4K029DC05
, 4M104AA09
, 4M104BB36
, 4M104BB40
, 4M104DD40
, 4M104DD41
, 5F103AA08
, 5F103BB22
, 5F103DD30
, 5F103LL07
, 5F103LL13
, 5F103RR08
, 5F110AA16
, 5F110CC01
, 5F110DD02
, 5F110EE03
, 5F110FF03
, 5F110FF30
, 5F110GG01
, 5F110GG04
, 5F110GG19
, 5F110GG24
, 5F110GG37
, 5F110GG43
, 5F110HK03
, 5F110HK08
, 5F110HK21
, 5F110HK28
, 5F110HM15
, 5F110QQ08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
-
透明導電性金属酸化物被覆フィルムおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-127887
Applicant:凸版印刷株式会社
-
半導体発光素子、およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-041888
Applicant:株式会社村田製作所
-
特開昭63-290256
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