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J-GLOBAL ID:200903000335731170

末端に定量的にビニリデン基を有する高分子化合物、その製造方法及び該高分子化合物を使用したレジスト材

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 田中 宏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994228039
Publication number (International publication number):1996092312
Application date: Sep. 22, 1994
Publication date: Apr. 09, 1996
Summary:
【要約】【目的】 本発明は、新規な構造法によって高収率で定量的に不飽和基であるビニリデン基を末端に導入した構造式(A)を有する高分子化合物、その製造方法及び該高分子化合物を用いたポジ型レジストを提供することを目的とする。【構成】 下記構造式(A)で表わされる末端に定量的にビニリデン基構造有する高分子化合物【化1】(式中、式中、Rは任意の開始剤断片を示す。R1、R2は水素または炭素数1から10のアルキル基、アリ-ル基、アラルキル基を表す。また、R3、R4、は水素または炭素数1から10のアルキル基、アリ-ル基、アラルキル基またはF、Cl、Brなどのハロゲンを表す。nは5〜10、000の整数を表す。)
Claim (excerpt):
下記構造式(A)で表わされる末端に定量的にビニリデン基構造を有する高分子化合物。【化1】(式中、Rは任意の開始剤断片を示す。R1、R2は水素または炭素数1から10のアルキル基、アリ-ル基、アラルキル基を表す。また、R3、R4、は水素または炭素数1から10のアルキル基、アリ-ル基、アラルキル基またはF、Cl、Brなどのハロゲンを表す。nは5〜10、000の整数を表す。)
IPC (3):
C08F 8/00 MJD ,  C08F112/04 MJT ,  G03F 7/039 501
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特開昭52-009046

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