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J-GLOBAL ID：200903000343041689

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 森 剛 ,  豊田 吉彦 ,  深田 哲生 ,  北沢 良幸
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998122289
Publication number (International publication number)：1999317446
Application date： May. 01, 1998
Publication date： Nov. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 導電層を構成する銅等の粒子の拡散を防止できる半導体装置を、製造工程を増加させずに提供する。導電層の幅を広げても導電層を構成する粒子が絶縁層中に拡散しない半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置は、絶縁層2と、バリア層4と、導電層5と、開口部11を有するバリア層6と、導電層5の表面とバリア層6の一部表面とを露出させるスルーホール8を有する絶縁層7と、スルーホール8の側面上と絶縁層7の上とに形成され、バリア層6の上面6aに接するバリア層9と、開口部11およびスルーホール8を充填する導電層10とを備える。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面上に形成された、凹部を有する第1の絶縁層と、前記凹部の表面上に形成された第1の拡散防止層と、前記凹部を充填するように前記第1の拡散防止層の表面上に形成された第1の導電層と、前記第1の絶縁層の表面上に形成された、前記第1の導電層の表面を露出させる開口部を有する第2の拡散防止層と、前記第1の導電層の表面と前記第2の拡散防止層の一部表面とを露出させるように前記第2の拡散防止層の表面上に形成された、前記開口部に接続する第1の孔を有する第2の絶縁層と、前記第1の孔の側面上と前記第2の絶縁層上とに形成され、前記第2の拡散防止層の上面に接する第3の拡散防止層と、前記第1の導電層に接するように前記開口部と前記第1の孔とを充填する第2の導電層とを備えた、半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 多層配線構造及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-341259   Applicant：日本電気株式会社, ルーセントテクノロジーズインク