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J-GLOBAL ID：200903000346789838

半導体装置の製造方法及び基板処理装置

Inventor： 原田 徹
Applicant, Patent owner： 株式会社日立国際電気
Agent (1)： 特許業務法人アイ・ピー・エス
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004366487
Publication number (International publication number)：2006173482
Application date： Dec. 17, 2004
Publication date： Jun. 29, 2006
Summary：

【課題】膜厚均一性を向上させることができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。 【解決手段】調整用基板37を回転させずに成膜したときの基板面内全体における膜厚分布の勾配と方向が一定となるような状態でプロダクト用基板36を回転させて成膜する。基板面内全体における膜厚分布の勾配と方向が一定となるようにするには、反応炉の温度分布を調整することにより行う。【選択図】 図5

Claim (excerpt)：

基板を回転させずに成膜したときの基板面内全体における膜厚分布の勾配と方向が一定となるような状態で基板を回転させて成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/46

FI (2)：

H01L21/31 B ,  C23C16/46

F-Term (17)：

4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA07 ,  4K030JA10 ,  4K030KA04 ,  4K030KA22 ,  4K030KA23 ,  5F045AA03 ,  5F045AB32 ,  5F045AC09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE19 ,  5F045BB02 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EM10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 基板処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-061015   Applicant：株式会社日立国際電気

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-191493
  
• 単結晶薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-079453   Applicant：信越半導体株式会社