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J-GLOBAL ID：200903000352087438

高電子移動度トランジスタ

Inventor： 赤▲崎▼ 達志 ,  荒井 邦博 ,  榎木 孝知
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992017496
Publication number (International publication number)：1993218096
Application date： Feb. 03, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】InAlAsゲートコンタクト層/InGaAsチャネル層/InAlAsキャリア供給層/InAlAsバッファ層を有する、即ち、チャネル層の下にキャリア供給層を持つ、いわゆる逆HEMTと呼ばれる高電子移動度トランジスタのソース、ドレイン電極の低コンタクト抵抗化を図る。【構成】ゲート電極直下にInAlAsゲートコンタクト層があり、ソースおよびドレイン電極直下のInAlAsゲートコンタクト層は除去されており、ソースおよびドレイン電極が直接InGaAsチャネル層にオーミック接触している構成とする。

Claim (excerpt)：

InAlAsゲートコンタクト層/InGaAsチャネル層/InAlAsキャリア供給層/InAlAsバッファ層を有する高電子移動度トランジスタにおいて、ゲート電極直下にInAlAsゲートコンタクト層があり、ソース電極およびドレイン電極直下のInAlAsゲートコンタクト層は除去されており、ソース電極およびドレイン電極が直接InGaAsチャネル層にオーミック接触していることを特徴とする高電子移動度トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-102270
  
• 特開昭63-107173