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J-GLOBAL ID：200903000353733589
スピン・トランジスタ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997538670
Publication number (International publication number)：2000509208
Application date： Apr. 28, 1997
Publication date： Jul. 18, 2000
Summary：
【要約】スピン・トランジスタは、磁気制御可能なバリア(5)が電荷キャリアのコレクタ(3)への拡散を制御するため半導体ベース(4)とコレクタ(3)との間に設けられているハイブリッド型磁気/半導体トランジスタである。スピン・トランジスタにより、電荷キャリアの個体群は、電子電荷の代わりにキャリアのスピン又は磁気モーメントの方向により弁別される。スピン・インジェクタ(1)を用いて電荷キャリア個体群をスピン分極し、そのため該個体群をコレクタへ磁気バリアを介して流すか又はそうしないようにする選択された磁気モーメントを該個体群が有する。スピン・トランジスタは、キャリアの流れが利得を最大にするため磁気モーメントにより制御されることと組み合わされる通常の半導体トランジスタの電子的特性を利用する。
Claim (excerpt)：
ハイブリッド半導体エミッタ、ベースおよびコレクタを含み、該エミッタは、エミッタにおける電荷キャリアをスピン分極するためのスピン分極手段およびベースとコレクタ間に与えられた磁気的に制御可能なバリヤを含みコレクタにおける電荷キャリアの到着を制御する、スピン・トランジスタ。
IPC (2)：
FI (2)：
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