Pat
J-GLOBAL ID:200903000371804086
半導体光デバイス
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
恩田 博宣 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000311864
Publication number (International publication number):2002118288
Application date: Oct. 12, 2000
Publication date: Apr. 19, 2002
Summary:
【要約】【課題】 静電耐量を向上させることができる半導体光デバイスを提供する。【解決手段】 発光ダイオード1を構成する第1層11は絶縁基板2上に設けられている。第1層11はn型単結晶の窒化ガリウム(GaN)からなっている。第1層11上には第2層12が設けられている。第2層12はp型単結晶の窒化ガリウム(GaN)からなっている。第2層12には露出部11aを露出させる第1開口部14が切り欠き形成されている。露出部11aにはn側電極5が設けられている。第2層12上には透明電極層13が設けられている。第2層12上にはp側電極6が設けられている。透明電極層13には、第2開口部15が第1開口部14に対応する位置に切り欠き形成されている。第2開口部15の開口端縁部15bはアールを有している。
Claim 1:
基材上に設けられた第1導電型半導体からなる第1層と、前記第1層上に設けられるとともに同第1層の一部を露出させる第1開口部が切り欠き形成された第2導電型半導体からなる第2層と、前記第2層上に設けられるとともに前記第1開口部に対応する位置に第2開口部が切り欠き形成された透明電極層と、前記第1層における露出部位に設けられた第1の電極と、前記第2層上に設けられた第2の電極とを備える半導体光デバイスにおいて、前記第2開口部の開口縁端部はアールを有していることを特徴とする半導体光デバイス。
IPC (2):
FI (2):
H01L 33/00 E
, H01L 31/10 H
F-Term (19):
5F041AA23
, 5F041AA44
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA85
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CB36
, 5F049MA01
, 5F049MB07
, 5F049NA06
, 5F049QA03
, 5F049SE03
, 5F049SE04
, 5F049SE05
, 5F049SE09
, 5F049SE12
, 5F049SZ13
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