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J-GLOBAL ID：200903000371804086

半導体光デバイス

Inventor： 駒形 信幸
Applicant, Patent owner： 株式会社東海理化電機製作所
Agent (1)： 恩田 博宣 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000311864
Publication number (International publication number)：2002118288
Application date： Oct. 12, 2000
Publication date： Apr. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】 静電耐量を向上させることができる半導体光デバイスを提供する。【解決手段】 発光ダイオード1を構成する第1層11は絶縁基板2上に設けられている。第1層11はn型単結晶の窒化ガリウム(GaN)からなっている。第1層11上には第2層12が設けられている。第2層12はp型単結晶の窒化ガリウム(GaN)からなっている。第2層12には露出部11aを露出させる第1開口部14が切り欠き形成されている。露出部11aにはn側電極5が設けられている。第2層12上には透明電極層13が設けられている。第2層12上にはp側電極6が設けられている。透明電極層13には、第2開口部15が第1開口部14に対応する位置に切り欠き形成されている。第2開口部15の開口端縁部15bはアールを有している。

Claim 1：

基材上に設けられた第1導電型半導体からなる第1層と、前記第1層上に設けられるとともに同第1層の一部を露出させる第1開口部が切り欠き形成された第2導電型半導体からなる第2層と、前記第2層上に設けられるとともに前記第1開口部に対応する位置に第2開口部が切り欠き形成された透明電極層と、前記第1層における露出部位に設けられた第1の電極と、前記第2層上に設けられた第2の電極とを備える半導体光デバイスにおいて、前記第2開口部の開口縁端部はアールを有していることを特徴とする半導体光デバイス。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 31/10

FI (2)：

H01L 33/00 E ,  H01L 31/10 H

F-Term (19)：

5F041AA23 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CB36 ,  5F049MA01 ,  5F049MB07 ,  5F049NA06 ,  5F049QA03 ,  5F049SE03 ,  5F049SE04 ,  5F049SE05 ,  5F049SE09 ,  5F049SE12 ,  5F049SZ13