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J-GLOBAL ID：200903000388330649

炭化ケイ素材料及びRTP装置用治具

Inventor： 野上 暁
Applicant, Patent owner： 東洋炭素株式会社
Agent (1)： 梶 良之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999311832
Publication number (International publication number)：2001130964
Application date： Nov. 02, 1999
Publication date： May. 15, 2001
Summary：

【要約】【課題】 厚みが1mm以下であっても、均熱性が高く、放射温度計により温度測定されるランプ光を透過しないランプアニール装置等に用いられるウェーハ加熱処理装置用のSiC材料を提供する。【解決手段】 多孔質SiCの表面に1若しくは複数層の多結晶SiC膜を形成し、そのうち最外表面に形成されている第1層目のSiCを構成する結晶面を、β型炭化ケイ素の(111)面、(200)面、(220)面、(311)面、(222)面とする。

Claim 1：

多孔質炭化ケイ素基材の表面に緻密な炭化ケイ素膜が形成され、波長が1100nm以下の光の透過率が0.25%以下である炭化ケイ素材料。

F-Term (12)：

4G001BA04 ,  4G001BA60 ,  4G001BA82 ,  4G001BB22 ,  4G001BC45 ,  4G001BC47 ,  4G001BC72 ,  4G001BD31 ,  4G001BD38 ,  4G001BE01 ,  4G001BE03 ,  4G001BE35

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• SiC成形体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-042906   Applicant：東海カーボン株式会社
• 半導体用拡散炉部材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-253501   Applicant：三井造船株式会社

Cited by examiner (2)

• SiC成形体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-042906   Applicant：東海カーボン株式会社
• 半導体用拡散炉部材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-253501   Applicant：三井造船株式会社