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J-GLOBAL ID：200903000391315480

真空処理方法及び装置

Inventor： 坪根 恒彦 ,  田村 直行 ,  加藤 重和 ,  西畑 廣治 ,  伊藤 温司
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高田 幸彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991160203
Publication number (International publication number)：1993049904
Application date： Jul. 01, 1991
Publication date： Mar. 02, 1993
Summary：

【要約】【構成】減圧下で試料をプラズマ処理する際に、エッチング温度よりもさらに低い所定温度の冷媒で試料台を冷却し、該試料台に試料を保持して、試料の裏面と試料台の試料設置面との間に伝熱ガスを供給し、該伝熱ガス圧力を制御して試料を所定の処理温度に合わせる。【効果】装置を大掛かりにすることなく、試料温度を素速く調整できる。

Claim (excerpt)：

減圧下で試料を処理する方法において、エッチング温度よりもさらに低い所定温度の冷媒で試料台を冷却する工程と、前記試料台の試料設置面に前記試料を保持する工程と、該試料設置面に保持された前記試料の裏面と前記試料台の試料設置面との間に伝熱ガスを供給し、該伝熱ガス圧力を前記試料の所定処理温度に合わせて制御する工程と、前記所定温度に制御された試料を処理する工程とを有することを特徴とする真空処理方法。

IPC (3)：

B01J 3/00 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/306

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-110925
  
• 特開平2-110926
  
• 特開平2-110927
  
• 特開平2-119131