Pat
J-GLOBAL ID：200903000397864583

プラズマエッチング方法、及びプラズマエッチング装置

Inventor：
大國 充弘

About 大國 充弘

, 
松永 啓一

About 松永 啓一


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 福井 豊明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005180739
Publication number (International publication number)：2007005381
Application date： Jun. 21, 2005
Publication date： Jan. 11, 2007
Summary：
【課題】 微細なメタルゲート電極であっても、安定したエッチングを行うことができるプラズマエッチング方法、及びプラズマエッチング装置を提供する。【解決手段】 まず、チャンバ1の内壁に被覆膜が形成される。次に、当該被覆膜が形成された状況下で、ウエハ7のエッチング処理が行われ、その後当該エッチング処理の過程で上記被覆膜上に付着した反応生成物が、上記被覆膜とともにエッチング除去される。そして、これら各工程が、上記エッチング処理が開始される時のチャンバ内壁の状態が、常に、略同一となる頻度で実施される。これにより、例えば、上記被覆膜の除去を、1つの被加工体のエッチング処理が終了する度に行うことで、チャンバ内が常に同一の状態で、被加工体のエッチング処理を行うことが可能となる。このため、微細なパターンを形成するエッチング処理であっても、再現性のよい、安定した加工を行うことができる。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
チャンバ内に維持されたプラズマにより、被加工体のエッチング処理を行うプラズマエッチング方法において、 前記チャンバの内壁に被覆膜を形成するステップと、 前記被覆膜が形成された状況下で、被加工体のエッチング処理を行うステップと、 前記エッチング処理の過程で前記被覆膜上に付着した反応生成物を、前記被覆膜とともにエッチング除去するステップとを有し、 前記エッチング処理を開始する時のチャンバ内壁の状態を、常に、略同一にすることを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (3)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/321
FI (3)：
H01L21/302 104C ,  H01L21/28 E ,  H01L21/88 D
F-Term (32)：
4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104CC05 ,  4M104DD65 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH14 ,  5F004AA01 ,  5F004BB30 ,  5F004BD05 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB08 ,  5F004DB12 ,  5F004DB13 ,  5F004EA21 ,  5F004EA22 ,  5F004EB02 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033VV06 ,  5F033XX03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-057510   Applicant：松下電器産業株式会社
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM