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J-GLOBAL ID：200903000398445401
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
有我 軍一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993204384
Publication number (International publication number)：1995058329
Application date： Aug. 19, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：
【要約】【目的】 バンプ電極間でリーク電流を発生しないようにして、半導体装置のDC入力及び出力部にリーク電流を流れ込まないようにすることができることを目的とする。【構成】 導電性膜2上に該導電性膜2が露出された開口部4aを有する感光性ポリイミド絶縁膜4が少なくとも形成され、該開口部4a内の該導電性膜2とコンタクトするようにバンプ電極6が形成され、該バンプ電極6間の該感光性ポリイミド絶縁膜4に該バンプ電極6同志を分離する分離溝4bが形成されてなるように構成する。
Claim (excerpt)：
導電性膜(2)上に該導電性膜(2)が露出された開口部(4a)を有する感光性ポリイミド絶縁膜(4)が少なくとも形成され、該開口部(4a)内の該導電性膜(2)とコンタクトするようにバンプ電極(6)が形成され、該バンプ電極(6)間の該感光性ポリイミド絶縁膜(4)に該バンプ電極(6)同志を分離する分離溝(4b)が形成されてなることを特徴とする半導体装置。
FI (2)：
H01L 29/78 321 C
, H01L 29/78 321 F
