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J-GLOBAL ID：200903000402639526
半導体装置のパターン合わせノギス
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995164263
Publication number (International publication number)：1997017715
Application date： Jun. 29, 1995
Publication date： Jan. 17, 1997
Summary：
【要約】【目的】半導体装置製造工程の2つのフォトリソグラフィ工程間のマスク合わせ誤差の計測を簡便にし、半導体装置のパターン合わせノギスの占める領域の面積を低減する。【構成】第1のマスク上に形成され、第1のピッチで縦方向と横方向とに行列状に配列された主尺となる第1の指標パターン群と、第2のマスク上に形成され、第2のピッチで縦方向と横方向とに行列状に配列された副尺となる第2の指標パターン群とを有する半導体装置のパターン合わせノギス。
Claim (excerpt)：
第1のマスク上に形成され、第1のピッチで縦方向と横方向とに行列状に配列された主尺となる第1の指標パターン群と、第2のマスク上に形成され、第2のピッチで縦方向と横方向とに行列状に配列された副尺となる第2の指標パターン群とを有することを特徴とする半導体装置のパターン合わせノギス。
IPC (3)：
H01L 21/027
, G01B 3/20 101
, G03F 9/00
H01L 21/30 520 A
, G01B 3/20 101 Z
, G03F 9/00 H
