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J-GLOBAL ID:200903000413473271

位相シフトマスクの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992344089
Publication number (International publication number):1994194820
Application date: Dec. 24, 1992
Publication date: Jul. 15, 1994
Summary:
【要約】【目的】レジスト層と位相シフト層との間の接着性を高め、パターン欠陥の発生を抑制し、位相シフトパターンの高精度な形成を可能な製造方法を提供する。【構成】少なくとも、該位相シフト部をなす材料の層の上に金属薄膜層を形成し、しかる後にレジスト層を形成することを特徴とし、好ましくは、前記金属薄膜層をなす材料が、特にモリブデン、タンタル、タングステン、アルミニウム、あるいはニッケルからなることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法である。
Claim (excerpt):
透明基板に遮光部と光透過部と位相シフト部とを備えた位相シフトマスクの製造方法において、少なくとも、該位相シフト部をなす材料の層の上に金属薄膜層を形成し、しかる後にレジスト層を形成することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2):
H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W

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