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J-GLOBAL ID：200903000426353518

薄膜トランジスタおよびその検査方法

Inventor： 後藤 康正
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 樺澤 襄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000157209
Publication number (International publication number)：2001339068
Application date： May. 26, 2000
Publication date： Dec. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】 性能を一定にした薄膜トランジスタおよびその検査方法を提供する。【解決手段】 分光エリプソメータは、光源32からの光をステージ31上の薄膜トランジスタ1のシリコン酸化膜に照射する。シリコン酸化膜で反射した光を回転検光子35で検出して解析する。シリコン酸化膜の波長の角周波数ωに関する誘電率の波長依存の関数ε(ω)を、ε(ω)=ε∞+{(εs+ε∞)ωt2 /(ωt2 +ω2 )とし、εsとωtを変数としたときに、ωtが22±2であることが好ましい。しきい値Vthとωtの関係から、ωtが大きくなるとしきい値Vthは負側に、ωtが大きくなるとしきい値Vthは正側にシフトし、このときのεsは2.0付近の値を示しており、簡易的にωtのみをしきい値Vthの指標にできる。

Claim (excerpt)：

活性層とこの活性層に隣接したシリコン酸化膜を有し、このシリコン酸化膜の波長の角周波数ωに関する誘電率の波長依存の関数ε(ω)を、ε(ω)=ε∞+{(εs+ε∞)ωt2 /(ωt2 +ω2 )とし、εsとωtを変数としたときに、前記シリコン酸化膜のωtが22±2であることを特徴とした薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  G01N 21/21

FI (3)：

G01N 21/21 Z ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 624

F-Term (20)：

2G059AA02 ,  2G059BB16 ,  2G059EE05 ,  2G059GG07 ,  2G059JJ19 ,  2G059KK01 ,  2G059MM01 ,  2G059MM09 ,  2G059MM20 ,  5F110AA08 ,  5F110AA24 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HM15