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J-GLOBAL ID：200903000427972246
半導体レーザ素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993263351
Publication number (International publication number)：1995122817
Application date： Oct. 21, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：
【要約】【目的】490nm帯から520nm帯の波長領域で室温連続発振を容易にする。【構成】通常の基板に格子整合するZnMgSSeクラッド層の活性層近傍に、S組成を大きくしたZnMgSSe層の薄膜を10〜20周期設ける。【効果】ZnMgSSe層の禁制帯幅が広がり、伝導帯に周期的ポテンシャルが形成される。これによって、電子に対する障壁を大きくして活性層とクラッド層の禁制帯幅の差を実効的に向上させた結果、電子の活性層への閉じ込めが格段に向上した。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に設けられた、禁制帯幅の小さい光ガイド層及びそれに挾まれた単一又は多重量子井戸の活性層からなる構造を挾む、禁制帯幅が大きく前記半導体基板に格子整合するクラッド層において、前記クラッド層の前記活性層の近傍に、前記クラッド層より伝導帯エネルギの大きい歪層を、前記クラッド層と略等しい組成の層で挾んで複数層挿入した超格子構造を有し、伝導帯に周期的なポテンシャルが形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2)：
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