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J-GLOBAL ID：200903000429154370

レチクル、半導体ウェハおよび半導体装置の製造方法

Inventor： 山岸 博文
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (3)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003364619
Publication number (International publication number)：2005129781
Application date： Oct. 24, 2003
Publication date： May. 19, 2005
Summary：

【課題】 チップサイズが微小化した場合においても、チップの占有率の低下を抑制しつつ、必要十分なアライメントマークを確保する。【解決手段】 レチクルR1のチップ領域C1 ́〜C3 ́の一部のチップ領域C1 ́、C2 ́のみにアライメントマークM1 ́、M2 ́を配置することにより、ウェハW1のチップ領域C1〜C3の一部のチップ領域C1、C2のみにアライメントマークM1、M2を形成する。【選択図】 図1

Claim 1：

所定間隔で配列された複数のチップ領域と、 前記複数のチップ領域から選択された一部のチップ領域に配置されたアライメントマークとを備えることを特徴とするレチクル。

IPC (2)：

H01L21/027 ,  G03F1/08

FI (3)：

H01L21/30 502M ,  G03F1/08 N ,  H01L21/30 502P

F-Term (6)：

2H095BE03 ,  5F046EA02 ,  5F046EB01 ,  5F046EB02 ,  5F046EB05 ,  5F046EB06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-053392   Applicant：株式会社ニコン