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J-GLOBAL ID：200903000439931499

半導体発光素子の製法

Inventor：
園部 雅之

About 園部 雅之


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Agent (1)： 河村 洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995057688
Publication number (International publication number)：1996255952
Application date： Mar. 16, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：
【要約】【目的】 チッ化ガリウム系半導体層のエッチング面のダメージやコンタミネーションの付着をなくし、清浄なエッチング面がえられるとともに、エッチング面の段差を緩やかにして保護膜が設けられてもステップカバレジのすぐれた半導体発光素子がえられる製法を提供する。【構成】 基板1上に少なくともn型層3、4およびp型層6、7を含み活性層5を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、該積層された半導体層の一部をエッチングする半導体発光素子の製法であって、前記半導体層のエッチングをドライエッチングにより行ったのちウェットエッチングにより行うことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基板上に少なくともn型層およびp型層を含み発光層を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、該積層された半導体層の一部をエッチングする半導体発光素子の製法であって、前記半導体層のエッチングをドライエッチングにより行ったのちウェットエッチングにより行うことを特徴とする半導体発光素子の製法。
IPC (4)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306 ,  H01L 33/00
FI (4)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/306 S
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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