半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松尾憲一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004283093
Publication number (International publication number)：2006100462
Application date： Sep. 29, 2004
Publication date： Apr. 13, 2006
Summary：

【課題】金属配線部にヒロックが生じることを防止して、電気特性における不均一性の拡大を防止し、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、この層間絶縁膜に配線開口部を形成するとともに、この配線開口部内に銅を主成分とした導体膜を形成して金属配線を形成するようにした半導体装置の製造方法において、前記導体膜に水素を導入するための表面処理を施すこととした。また、前記表面処理を水素プラズマ処理とし、この水素プラズマ処理により前記導体膜に導入された水素を除去する表面処理を引き続き実行することとした。【選択図】図4

Claim 1：

半導体基板上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜に配線開口部を形成するとともに、この配線開口部内に銅を主成分とした導体膜を形成して金属配線を形成するようにした半導体装置の製造方法において、前記導体膜に水素を導入するための表面処理を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/320 , H01L 23/52

FI (1)：

H01L21/88 M

F-Term (22)：

5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033PP27 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ48 , 5F033QQ59 , 5F033QQ61 , 5F033QQ94 , 5F033QQ98 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033SS11 , 5F033XX16 , 5F033XX28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-226876 Applicant：株式会社日立製作所

Cited by examiner (1)

半導体集積回路装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-300853 Applicant：株式会社日立製作所

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