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J-GLOBAL ID：200903000460417339

半導体光素子

Inventor： 青木 雅博 ,  高橋 誠 ,  佐藤 宏
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994247511
Publication number (International publication number)：1996116124
Application date： Oct. 13, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は半導体光素子に関し、特に極めて簡易な作製法でファイバと高効率光結合を容易に可能とする半導体光導波素子の構造及びその作製方法を提供することを目的とする。【構成】 二重光導波路構造5,7とリッジ導波路幅A-A’,B-B’の変調を組み合わせることにより半導体レーザ等光導波素子の特性を劣化させることなく、非常に容易な手法で入/出射ビーム拡大を実現する。また、リッジ形状の逆メサ化、および超格子光導波路の導入により上記特性をさらに向上する。【効果】 極めて簡易な作製法でファイバと高効率光結合を容易に可能とする半導体光導波素子が実現できる。本発明を用いれば、素子性能、歩留まりが飛躍的に向上するだけでなく、この素子を適用した光通信システムの低価格化、大容量化、長距離化を容易に実現できる。

Claim (excerpt)：

基板上に第1のコア層とこれよりも低屈折率材料からなる第2のコア層を基板と第1のコア層との間に有し、第1のコア層の上面部にリッジ装荷型光導波を有する半導体光素子において、リッジ幅が光軸方向で変調されていおり、かつ導波路のリッジ底面の幅が全て4μm以下であることを特徴とする半導体光素子。