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J-GLOBAL ID：200903000460480014

ガス処理装置および半導体装置の製造方法

Inventor： 南百瀬 勇
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (3)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003026957
Publication number (International publication number)：2004237162
Application date： Feb. 04, 2003
Publication date： Aug. 26, 2004
Summary：

【課題】ガス中の反応性成分について優れた分解能力を有するガス処理装置および該ガス処理装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明のガス処理装置は、反応性成分を含有するガスを減圧した後排出する副ポンプ24と、副ポンプ24から排出されたガスに含まれる前記反応性成分を分解した後排出するプラズマ分解装置26と、プラズマ分解装置26から排出されたガスを減圧した後排出する主ポンプ28と、を含む。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

反応性成分を含有するガスを減圧した後排出する副ポンプと、 前記副ポンプから排出されたガスに含まれる前記反応性成分を分解した後排出するプラズマ分解装置と、 前記プラズマ分解装置から排出されたガスを減圧した後排出する主ポンプと、を含む、ガス処理装置。

IPC (3)：

B01D53/70 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

FI (3)：

B01D53/34 134E ,  C23C16/44 J ,  H01L21/205

F-Term (18)：

4D002AA21 ,  4D002AA22 ,  4D002BA05 ,  4D002BA06 ,  4D002BA07 ,  4D002GA03 ,  4D002GB04 ,  4K030DA06 ,  4K030EA12 ,  4K030JA00 ,  4K030JA09 ,  4K030KA41 ,  5F045AC02 ,  5F045AC11 ,  5F045EG02 ,  5F045EG03 ,  5F045EG07 ,  5F045EH18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 排ガス処理装置及び基板処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-124315   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド