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J-GLOBAL ID：200903000470590314

半導体素子の障壁層の形成方法及び装置

Inventor： リム,ビ・オー ,  李 漢 春
Applicant, Patent owner： 東部電子株式会社
Agent (1)： 北村 修一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002187602
Publication number (International publication number)：2003031521
Application date： Jun. 27, 2002
Publication date： Jan. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】 MOCVD法を使用しない半導体素子の障壁層の形成方法及び装置を提供する。【解決手段】 本発明によれば半導体基板上の層間絶縁膜上にコンタクトホールを形成し、コンタクトホール及びその外側の層間絶縁膜にTi層を積層した後に同一の装置内で窒素ガスをマイクロウェーブで処理して窒素ラジカルを形成し、これをTi層と反応させることによって高純度のTiN層を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にコンタクトホールを有する層間絶縁膜を形成する段階と、前記コンタクトホールの内部及び前記層間絶縁膜上にTi層を形成する段階と、前記Ti層と窒素ラジカルを反応させて前記Ti層の一部分をTiN層に変換させる段階とを含むことを特徴とする半導体素子の障壁層の形成方法。

F-Term (8)：

4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104DD86 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• バリアメタルの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-269683   Applicant：ソニー株式会社
• 多層配線構造における接続孔の埋め込み方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-043168   Applicant：ソニー株式会社
• バリア層の形成方法、およびこれにより形成されたバリア層を有する半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-050256   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体デバイスにメタル窒化物膜を統合するための方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-290804   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-196572   Applicant：菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社
• 強磁性トンネル磁気抵抗効果素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-316443   Applicant：ティーディーケイ株式会社