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J-GLOBAL ID：200903000476466259
ホットキャリアトランジスタ及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 暁秀 (外6名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997522612
Publication number (International publication number)：1999501165
Application date： Nov. 25, 1996
Publication date： Jan. 26, 1999
Summary：
【要約】ホットキャリアトランジスタは、例えば大面積電子装置の製造に用いられている水素添加アモルファスシリコン(a-Si:H)技術のような半導体薄膜技術を用いて形成することができる。エミッタ領域2及びコレクタ領域3はベース領域(1)を構成する中間の半導体リッチアモルファス金属-半導体合金層(a-Si1-xMx:H)と隣接する水素添加アモルファス半導体材料(a-Si:H)で構成する。この合金層のアモルファスの性質及び例えば5%のような低い金属含有量により、ベース領域に波長及び有効質量が空間的に変化するホットキャリア(21)用のある範囲の量子力学的環境が形成される。このベース領域(1)を通る電流は空間的に自己選択されるので、波動関数と、障壁高さ(h1,h2)と、ベース幅(x1,x2)との間の共鳴が存在する区域を通過する。半導体リッチ合金層(1)の半導体環境を通る通路によりベース-コレクタ障壁における量子力学的反射が低下する。
Claim (excerpt)：
半導体のエミッタ領域とコレクタ領域との間に位置し、エミッタ領域及びコレクタ領域に対してショットキー障壁を形成する金属-半導体合金ベース領域を具えるホットキャリアトランジスタにおいて、前記エミッタ領域及びコレクタ領域を、ベース領域を構成する中間の半導体リッチアモルファス金属-半導体合金層と隣接する水素添加アモルファス半導体材料で構成したことを特徴とするホットキャリアトランジスタ。
IPC (2)：
FI (2)：
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