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J-GLOBAL ID：200903000476549510
プラズマエッチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994325230
Publication number (International publication number)：1996181122
Application date： Dec. 27, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】冷却した下部電極上に被エッチングウェハを載せてプラズマエッチングする方法においてエッチングレートの低下やチャージアップが起きやすいという問題、さらにクランプ(4)がレジストを傷つけるためダストの発生源となるという問題を解決する。【構成】冷却された下部電極(11)上に被エッチングウェハ(12)を載せ、前記下部電極と被エッチングウェハ(12)との隙間にHeガスを流しながらプラズマエッチングを行うに際し、前記被エッチングウェハ(12)を側面からクランプし前記被エッチングウェハ(12)に機械的加重を加えるようにした。
Claim (excerpt)：
冷却された下部電極上に被エッチングウェハを載せ、前記下部電極と被エッチングウェハとの隙間にHeガスを流しながらプラズマエッチングを行うに際し、前記被エッチングウェハを側面からクランプし前記被エッチングウェハに機械的加重を加えるようにしたことを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (3)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/68
