サブマウント及びこれを用いた半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)： ▲角▼谷浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007041630
Publication number (International publication number)：2008205326
Application date： Feb. 22, 2007
Publication date： Sep. 04, 2008
Summary：

【課題】半導体素子の接合不具合を抑制することによって、素子特性の低下を抑制することが可能なサブマウントを提供する。【解決手段】このサブマウント10は、サブマウント基板11と、サブマウント基板11の上面上に形成され、半導体レーザ素子20を接合するための半田層14と、半田層14よりも小さい平面積を有するとともに、サブマウント基板11と半田層14との間に形成されたスペーサ層15とを備えている。このスペーサ層15は、Ni(ニッケル)から構成されているとともに、半田層14は、共晶系はんだ材であるAuSnから構成されている。また、半田層14の上面の所定領域には、スペーサ層15によって、段差部14aが形成されている。【選択図】図11

Claim (excerpt)：

サブマウント基板と、前記サブマウント基板の主表面上に形成され、半導体素子を接合するための接合層とを備え、溶融前の前記接合層には、段差部が形成されていることを特徴とする、サブマウント。

IPC (2)：

H01S 5/022 , H01L 21/52

FI (2)：

H01S5/022 , H01L21/52 E

F-Term (14)：

5F047AA19 , 5F047BA41 , 5F047BC02 , 5F047BC03 , 5F047BC13 , 5F047BC14 , 5F173MA05 , 5F173MC13 , 5F173MC25 , 5F173MD05 , 5F173MD09 , 5F173MD12 , 5F173MD18 , 5F173MD84

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

サブマウントおよび半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-060764 Applicant：住友電気工業株式会社

Cited by examiner (5)

半導体発光装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-213359 Applicant：シャープ株式会社
半導体レーザ・アレイ装置及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-223828 Applicant：ソニー株式会社
特開昭61-018188

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