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J-GLOBAL ID：200903000508335461

光電変換装置及びその製造方法

Inventor： 井上 俊輔
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991319699
Publication number (International publication number)：1993136450
Application date： Nov. 08, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、工程を複雑化することなく、蓄積容量電極直下から発生する暗電流を抑制するとともに、蓄積容量電極の平面面積を縮小することにより、特性が安定し、微細化、センサー開口率の向上した光電変換装置を実現することにある。【構成】 縦型バイポーラトランジスタの制御電極部であるベース領域に電荷を蓄積する光電変換装置の製造方法において、薄い絶縁膜を介して前記ベース領域上に、くし歯状の蓄積容量電極408を形成する工程と、該蓄積容量電極の直下の前記ベース領域表面に、該ベース領域と同導電型で、かつ該ベース領域より高濃度不純物の層409を横方向から拡散して形成する工程と、を有することを特徴とする光電変換装置の製造方法及びその光電変換装置。

Claim 1：

縦型バイポーラトランジスタの制御電極部であるベース領域に電荷を蓄積する光電変換装置において、前記ベース領域上に、薄い絶縁膜を介して形成された蓄積容量電極と、該蓄積容量電極直下のベース領域表面に、該ベース領域と同導電型で、かつ該ベース領域より高濃度の不純物層を有することを特徴とする光電変換装置。

IPC (4)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/146 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (3)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 A ,  H01L 29/72