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J-GLOBAL ID：200903000514515722

高速スイッチングダイオードおよびその製造法

Inventor：
川地 明幸

About 川地 明幸


Applicant, Patent owner：
新電元工業株式会社

About 新電元工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003305935
Publication number (International publication number)：2005079232
Application date： Aug. 29, 2003
Publication date： Mar. 24, 2005
Summary：
【課題】 本発明は、順電圧が低く、逆電流が少なく、スイッチング特性に優れた200V以上の高耐圧スイッチングダイオードを得ることを目的とする。【解決手段】 第1の主面と前記第1の主面と対向する第2の主面を有する第1導電型の第1の半導体層1と、前記第1の半導体層1の第2の主面に接し前記第1の半導体層1よりも高い不純物濃度を有する第1導電型の第2の半導体層2と、前記第1の半導体層1の第1の主面に接し前記第1の半導体層よりも高い不純物濃度を有する第2導電型の第3の半導体層3を備えたダイオードにおいて、前記第2の半導体層2の不純物濃度を5E17atom/cm3以下にし、且つ、前記第3の半導体層3の不純物濃度を9E16atom/cm3以下にしたことを特徴とする高速スイッチングダイオードである。【選択図】 図1
Claim 1：
第1の主面と前記第1の主面と対向する第2の主面を有する第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の第2の主面に接し前記第1の半導体層よりも高い不純物濃度を有する第1導電型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層の第1の主面に接し前記第1の半導体層よりも高い不純物濃度を有する第2導電型の第3の半導体層を備えたダイオードにおいて、前記第2の半導体層の不純物濃度を5E17atom/cm3以下にし、且つ、前記第3の半導体層の不純物濃度を9E16atom/cm3以下にしたことを特徴とする高速スイッチングダイオード。
IPC (2)：
H01L21/329 ,  H01L29/861
FI (2)：
H01L29/91 B ,  H01L29/91 D
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 特開昭58-182277号公報
  • 国際公開第02/01643号パンフレット
  • 特開平3-250670号公報
Cited by examiner (4)
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