半導体基板の製造装置及び製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松浦兼行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995282873
Publication number (International publication number)：1997129578
Application date： Oct. 31, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】 1枚1枚の半導体基板に対して半導体基板の結晶方位をX線回折法等の手法により調べた後、個別にマーキングを行うため、半導体基板の製造工程の工程数の増加を招き生産性を悪化させる。【解決手段】切断機の治具に半導体結晶2のブレード5を合わせて装填し、保持をする。半導体結晶2には、特定の結晶方位に対してブレード5を取り付けている。レーザーマーキング装置は、レーザー発振装置10からのレーザー光をシャッタ11を介して光学レンズ12により半導体結晶2の真円である表面の特定の場所に収束させてマーキングさせる。マーキングされた半導体結晶2は、切断機によりウェーハ状に切断され半導体基板が得られる。切断後の残りの半導体結晶2に対して、同じ位置に再度マーキングを行ってから、再びウェーハ状に切断することが繰り返される。

Claim (excerpt)：

特定の結晶方位に対応した位置にブレードが装着された、真円である面を有する円柱状の半導体結晶の、該真円である表面の特定の場所に結晶方位認識用の認識マークのマーキングを1箇所以上行うマーキング手段と、該マーキング手段によりマーキングされた前記半導体結晶をウェーハ状に切り出す切断機とを有し、前記マーキング手段によるマーキングと前記切断機による切断とを交互に繰り返すことを特徴とする半導体基板の製造装置。

IPC (3)：

H01L 21/304 311 , B28D 5/02 , H01L 21/02

FI (4)：

H01L 21/304 311 B , B28D 5/02 B , H01L 21/02 B , H01L 21/02 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体ウエハ及びその結晶方位検出方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-202559 Applicant：ソニー株式会社

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