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J-GLOBAL ID：200903000525063696

光半導体素子の製造方法

Inventor： 田中 英明 ,  長尾 康之 ,  西村 公佐 ,  鈴木 正敏 ,  松島 裕一
Applicant, Patent owner： 国際電信電話株式会社
Agent (1)： 大塚 学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992175910
Publication number (International publication number)：1993343816
Application date： Jun. 11, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】光半導体の成長界面の漏れ電流を減らし、かつ動作可能な温度範囲を広くするごとができる製造方法を提供する。【構成】III -V族化合物半導体のp型半導体とn型半導体の接合界面が露出した部分を作る第1の工程と、前記露出部分を硫黄化合物またはセレン化合物のうち少なくとも1種類を含む気体中に曝す第2の工程と、該露出部分にIII -V族化合物半導体を結晶成長することによって覆う第3の工程を含むことを特徴とする。

Claim 1：

III -V族化合物半導体のp型半導体とn型半導体の接合界面が露出した部分をIII -V族化合物半導体で覆う工程を有する光半導体素子の製造方法において、前記露出部分を硫黄化合物またはセレン化合物のうち少なくとも1種類を含む気体中に曝す工程と、該気体中に曝した後に、該露出部分にIII -V族化合物半導体を結晶成長することによって該露出部分を覆う工程を含むことを特徴とする光半導体素子の製造方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00