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J-GLOBAL ID：200903000528206307
半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992121452
Publication number (International publication number)：1993291437
Application date： Apr. 14, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：
【要約】【構成】 半導体素子と、これを封止する封止樹脂層とを備え、上記封止樹脂層が、破壊靭性値(Kc)と、弾性値と線膨張係数より求められる内部応力値(σ)との比(Kc/σ)が2.0以上に設定されている。【効果】 熱サイクル試験において評価される特性が向上し長寿命になる。
Claim (excerpt)：
半導体素子と、これを封止する封止樹脂層とを備え、上記封止樹脂層が、破壊靭性値(Kc)と、弾性値と線膨張係数より求められる内部応力値(σ)との比(Kc/σ)が2.0以上に設定されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08G 59/18 NKK
