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J-GLOBAL ID：200903000534280578

透明導電性フィルムの製造方法

Inventor： 中村 謙治
Applicant, Patent owner： 住友ベークライト株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994151215
Publication number (International publication number)：1996017267
Application date： Jul. 01, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【構成】 長尺の高分子フィルムを基材とし、ロール・ツ・ロール方式で移送しながら真空中で連続的に透明導電性薄膜を形成するスパッタリング薄膜形成方法において、スパッタリング時に成膜室の圧力が10-3〜1PaになるようAr、あるいはO2 を1〜5%含むAr及びO2 の混合物を導入して、さらに水蒸気分圧が6×10-4〜10-2Paになるように水を導入してITメタル又はITOターゲット表面にある低級酸化物をプラズマ放電で取り除いた後に、水の導入をやめ水蒸気分圧が5×10-4Pa以下になるよう真空引きをして透明導電性薄膜を形成することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。【効果】 ITO成膜工程の生産性を落とすことなく長時間にわたりITO成膜が可能となる。

Claim (excerpt)：

長尺の高分子フィルムを基材とし、ロール・ツ・ロール方式で移送しながら真空中で連続的に透明導電性薄膜を形成するスパッタリング薄膜形成方法において、スパッタリング時に成膜室の圧力が10-3〜1PaになるようAr又はO2 を1〜5%含むAr及びO2 の混合物を導入して、それに加えてさらに水蒸気分圧が6×10-4〜10-2Paになるように水を導入して、ITメタル又はITOターゲット表面にある低級酸化物をプラズマ放電で取り除いた後に、水の導入をやめ水蒸気分圧が5×10-4Pa以下になるよう真空引きをして透明導電性薄膜を形成することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。

IPC (5)：

H01B 13/00 503 ,  B32B 9/00 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/56 ,  B32B 15/04