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J-GLOBAL ID：200903000534346935

スパッタリングターゲットおよびそれを用いて形成した高硬度被膜

Inventor： 菊池 誠 ,  石上 隆
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993047898
Publication number (International publication number)：1994256939
Application date： Mar. 09, 1993
Publication date： Sep. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高硬度、高靭性を示し、かつ密着性に優れた保護膜等を形成することを可能にしたスパッタリングターゲットを提供する。【構成】 Ti、Zr、Hf、Al、 Y、Ta、Cr、Mg、 Bの酸化物から選ばれた少なくとも 1種を0.05〜30mol%、およびSi、 B、Ti、Zr、Hfの炭化物および炭素から選ばれた少なくとも 1種を0.05〜30mol%含有し、残部が実質的に窒化ケイ素からなる焼結スパッタリングターゲットである。またさらには、Ti、Zr、Hf、Ta、Nb、 Vの硼化物から選ばれた少なくとも 1種を0.05〜40mol%の範囲で含有させる。

Claim (excerpt)：

Ti、Zr、Hf、Al、 Y、Ta、Cr、Mg、 Bの酸化物から選ばれた少なくとも 1種を0.05〜30mol%、およびSi、 B、Ti、Zr、Hfの炭化物および炭素から選ばれた少なくとも 1種を0.05〜30mol%含有し、残部が実質的に窒化ケイ素からなる混合物を、焼成してなることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (3)：

C23C 14/34 ,  B41J 2/335 ,  C23C 14/06