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J-GLOBAL ID：200903000534777901

半導体圧力センサ

Inventor： 庄司 康則
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000314418
Publication number (International publication number)：2002116106
Application date： Oct. 10, 2000
Publication date： Apr. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】ピエゾ抵抗とダイアフラムを組み合わせた構造をもつ半導体圧力センサで、1チップで差圧、静圧、加速度が測定できる圧力センサを提供する。【解決手段】圧力センサのダイアフラムを支持する単結晶シリコン基板上に固定端をもつ梁を形成し、その梁上に加速度検出用のピエゾ抵抗を形成する。圧力と加速度が同時センサに印加された時、差圧センサ、静圧センサの出力から、加速度だけに反応する梁上のピエゾ抵抗の出力を補正して差し引くことにより、圧力成分と加速度成分の分離が可能となり、1チップのセンサで高精度な圧力測定が可能となる。

Claim (excerpt)：

単結晶シリコンからなるダイアフラムならびにその支持部を有し、上記ダイアフラム上に少なくとも一つのピエゾ抵抗を配置した半導体圧力センサにおいて、上記支持部上に固定端を持つ、少なくとも一つのピエゾ抵抗を配置した片持ち梁が形成されていることを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84

FI (2)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84 A

F-Term (24)：

2F055AA39 ,  2F055BB05 ,  2F055BB11 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF11 ,  2F055FF43 ,  2F055FF49 ,  2F055GG11 ,  4M112AA01 ,  4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA05 ,  4M112CA06 ,  4M112CA16 ,  4M112CA23 ,  4M112DA04 ,  4M112DA12 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA04 ,  4M112EA13 ,  4M112GA01