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J-GLOBAL ID：200903000544188211
静電型マイクロリレーの製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西田 新
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992169149
Publication number (International publication number)：1994012963
Application date： Jun. 26, 1992
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：
【要約】【目的】 可動接点部を高精度でかつ再現性よく作製することができ、しかも回路集積等が可能な静電型マイクロリレーを製造する方法を提供する。【構成】 200keV以上の高エネルギイオン注入法を採用して、単結晶Si基板に、ドーパントを、エッチングスピードが桁違いに遅くなる条件まで導入した後、このSi基板を所定パターンのマスク材で覆った状態でエッチングを行うことによって、リレーの可動接点部を形成する。
Claim (excerpt)：
可動電極部をSi基板に形成するとともに、その駆動用の電極を製作することによって静電型マイクロリレーを得る方法であって、200keV以上の高エネルギイオン注入法を採用して、単結晶Si基板の所定領域にドーパントを、エッチングスピードが桁違いに遅くなる条件まで導入した後、このSi基板を所定パターンのマスク材で覆った状態で、エッチングを行うことによって上記可動電極部を形成することを特徴とする静電型マイクロリレーの製造方法。
IPC (2)：
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