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J-GLOBAL ID：200903000555486460

ダイアフラム構造用熱絶縁膜およびその製造方法

Inventor： 石田 拓郎 ,  阪井 淳 ,  相澤 浩一 ,  粟井 崇善 ,  柿手 啓治
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 松本 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992038107
Publication number (International publication number)：1993231926
Application date： Feb. 25, 1992
Publication date： Sep. 07, 1993
Summary：

【要約】【目的】 赤外線検出素子などに利用され、薄膜の一部が基板で支持されずに浮いた状態になるダイアフラム構造において、前記薄膜として用いられる熱絶縁膜であって、残留応力が少ないとともに、熱絶縁性にも優れ、しかも、製造も容易であって、ダイアフラム構造に用いるのに適した熱絶縁膜を提供する。【構成】 ダイアフラム構造に用いられ、SiOx (x=0.6〜1.0)層20やSiO2 層30のように、シリコンと酸素の組成比が異なる酸化シリコンの多層膜からなる熱絶縁膜2。

Claim (excerpt)：

薄膜の一部が基板で支持されずに浮いた状態になるダイアフラム構造において前記薄膜として用いられる熱絶縁膜であって、シリコンと酸素の組成比が異なる酸化シリコンの多層膜からなることを特徴とするダイアフラム構造用熱絶縁膜。

IPC (3)：

G01J 1/02 ,  G01J 5/02 ,  H01L 49/00