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J-GLOBAL ID：200903000562739934

シリコン基体表面の凹凸形成方法

Inventor： 西田 彰志 ,  水谷 匡希 ,  浮世 典孝 ,  岩▲崎▼ 由希子
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (2)： 渡辺 敬介 ,  山口 芳広
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005016631
Publication number (International publication number)：2006210394
Application date： Jan. 25, 2005
Publication date： Aug. 10, 2006
Summary：

【課題】 太陽電池用シリコン基体の形成に応用できる簡便で量産性のあるシリコン基体表面の凹凸形成方法を提供する。【解決手段】 シリコン基体表面上にインクジェットによりレジスト材をパターン描画してエッチングを行い、シリコン基体表面に凹凸を形成する方法であって、電極部となる部位103と該電極部以外の部位104とにおけるレジストパターンが異なることを特徴とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

シリコン基体表面上にインクジェットによりレジスト材をパターン描画してエッチングを行い、前記シリコン基体表面に凹凸を形成する方法であって、電極部となる部位と該電極部以外の部位とにおけるパターンが異なることを特徴とするシリコン基体表面の凹凸形成方法。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (1)：

H01L31/04 H

F-Term (4)：

5F051AA03 ,  5F051BA14 ,  5F051CB30 ,  5F051GA15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 太陽電池及びその製造方法、半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-105760   Applicant：三菱電機株式会社
• 特公平7-105518号公報
  
• 太陽電池素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-041617   Applicant：京セラ株式会社
• 太陽電池用シリコン基板の粗面化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-063060   Applicant：三菱電機株式会社
• 基板の表面加工方法及び太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-113555   Applicant：シャープ株式会社