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J-GLOBAL ID：200903000569030361

熱処理方法

Inventor： 八木 靖司 ,  大加瀬 亘
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン東北株式会社
Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994087472
Publication number (International publication number)：1995268627
Application date： Mar. 31, 1994
Publication date： Oct. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 被処理体例えば半導体ウエハに対して酸化処理、拡散処理などを行うにあたって、ウエハを急速に所定温度まで昇温させかつ安定した温度で熱処理を行い、これによりウエハに対して均一な熱処理を行うこと。【構成】 反応管1の上方に設けられた熱制御板3を加熱手段22により加熱し、反応管1の上部に高さ位置の変化に対して温度が実質的に均一な第1の加熱領域と、下方に向かうにつれて緩やかに温度が低くなる第2の加熱領域とを形成し、ウエハWを第1の加熱領域内まで急上昇させた後緩やかに第2の加熱領域内を降下させ、この間に熱処理が行われるようにする。

Claim (excerpt)：

反応管の一端側に、反応管の長さ方向の位置に対して温度が実質的に均一である第1の加熱領域と、この第1の加熱領域に連続し、反応管の他端側に向かうにつれて温度が緩やかに低くなる温度勾配をもった第2の加熱領域とを形成し、被処理体を、反応管の他端側から移動させて前記第1の加熱領域に位置させ、次いで前記第2の加熱領域内を緩やかに反応管の他端側に移動させながら熱処理することを特徴とする熱処理方法。

IPC (3)：

C23C 14/50 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/324