Pat
J-GLOBAL ID:200903000569792040
半導体装置及びその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (11):
前田 弘
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008039201
Publication number (International publication number):2008277753
Application date: Feb. 20, 2008
Publication date: Nov. 13, 2008
Summary:
【課題】微細化プロセスにおいても、また、Nchトランジスタ及びPchトランジスタの両方を持つデバイスにおいても、欠陥等を発生させることなく、トランジスタのチャネル領域に対する応力制御を行うことを可能にする。【解決手段】Nchトランジスタの第1のゲート電極107及びPchトランジスタの第2のゲート電極108のそれぞれの構成材料として、互いに応力の大きさが異なる材料を用いている。【選択図】図1
Claim (excerpt):
第1のゲート電極を有するNchトランジスタと、第2のゲート電極を有するPchトランジスタとを備え、
前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極のそれぞれの構成材料として、互いに応力の大きさが異なる材料を用いていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6):
H01L 21/823
, H01L 27/092
, H01L 29/423
, H01L 29/49
, H01L 21/28
, H01L 29/78
FI (4):
H01L27/08 321D
, H01L29/58 G
, H01L21/28 301S
, H01L29/78 301G
F-Term (90):
4M104AA01
, 4M104BB01
, 4M104BB02
, 4M104BB03
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB10
, 4M104BB13
, 4M104BB16
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104BB19
, 4M104BB20
, 4M104BB21
, 4M104BB22
, 4M104BB23
, 4M104BB24
, 4M104BB25
, 4M104BB26
, 4M104BB27
, 4M104BB28
, 4M104BB36
, 4M104CC05
, 4M104DD04
, 4M104DD43
, 4M104DD65
, 4M104DD79
, 4M104DD84
, 4M104FF08
, 4M104FF14
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 4M104HH14
, 5F048AA07
, 5F048AC03
, 5F048BA01
, 5F048BA10
, 5F048BB01
, 5F048BB04
, 5F048BB05
, 5F048BB08
, 5F048BB09
, 5F048BB10
, 5F048BB12
, 5F048BB14
, 5F048BC06
, 5F048BD01
, 5F048BE03
, 5F048BF06
, 5F048BF16
, 5F048BG13
, 5F048DA25
, 5F048DA27
, 5F048DA30
, 5F140AA00
, 5F140AA01
, 5F140AA39
, 5F140AB03
, 5F140AC28
, 5F140BA01
, 5F140BC06
, 5F140BE07
, 5F140BF01
, 5F140BF03
, 5F140BF04
, 5F140BF08
, 5F140BF11
, 5F140BF13
, 5F140BF15
, 5F140BF18
, 5F140BG10
, 5F140BG12
, 5F140BG14
, 5F140BG28
, 5F140BG30
, 5F140BG34
, 5F140BG44
, 5F140BG45
, 5F140BH15
, 5F140BJ08
, 5F140BK02
, 5F140BK13
, 5F140BK20
, 5F140BK34
, 5F140CB04
, 5F140CB08
, 5F140CE07
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (8)
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-329639
Applicant:NECエレクトロニクス株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-274533
Applicant:株式会社日立製作所
-
膜の内部応力制御方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-003214
Applicant:日新電機株式会社
-
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-304584
Applicant:株式会社東芝
-
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-336669
Applicant:株式会社ルネサステクノロジ
-
半導体装置の製造方法、半導体装置、及び電子機器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-335845
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
粒状半導体材料を有する応力半導体構造
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2006-539779
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
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ゲート及びチャネル内に歪を誘起させてCMOSトランジスタの性能を向上させる方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2007-541381
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
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