半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (11)：前田弘 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 関啓 , 杉浦靖也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008039201
Publication number (International publication number)：2008277753
Application date： Feb. 20, 2008
Publication date： Nov. 13, 2008
Summary：

【課題】微細化プロセスにおいても、また、Nchトランジスタ及びPchトランジスタの両方を持つデバイスにおいても、欠陥等を発生させることなく、トランジスタのチャネル領域に対する応力制御を行うことを可能にする。【解決手段】Nchトランジスタの第1のゲート電極107及びPchトランジスタの第2のゲート電極108のそれぞれの構成材料として、互いに応力の大きさが異なる材料を用いている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1のゲート電極を有するNchトランジスタと、第2のゲート電極を有するPchトランジスタとを備え、前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極のそれぞれの構成材料として、互いに応力の大きさが異なる材料を用いていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/28 , H01L 29/78

FI (4)：

H01L27/08 321D , H01L29/58 G , H01L21/28 301S , H01L29/78 301G

F-Term (90)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB10 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB19 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB23 , 4M104BB24 , 4M104BB25 , 4M104BB26 , 4M104BB27 , 4M104BB28 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD43 , 4M104DD65 , 4M104DD79 , 4M104DD84 , 4M104FF08 , 4M104FF14 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH14 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA10 , 5F048BB01 , 5F048BB04 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB12 , 5F048BB14 , 5F048BC06 , 5F048BD01 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F140AA00 , 5F140AA01 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BC06 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF03 , 5F140BF04 , 5F140BF08 , 5F140BF11 , 5F140BF13 , 5F140BF15 , 5F140BF18 , 5F140BG10 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG34 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BH15 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK20 , 5F140BK34 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CE07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体装置の製造方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-074662 Applicant：ソニー株式会社
近接した応力ライナー膜を有する半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-218000 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (8)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-329639 Applicant：NECエレクトロニクス株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-274533 Applicant：株式会社日立製作所
膜の内部応力制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-003214 Applicant：日新電機株式会社

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