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J-GLOBAL ID：200903000569849883

半導体製造方法

Inventor： 大見 忠弘 ,  新田 雄久
Applicant, Patent owner： 大見 忠弘 ,  株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997348662
Publication number (International publication number)：1999168090
Application date： Dec. 02, 1997
Publication date： Jun. 22, 1999
Summary：

【要約】【解決手段】 本発明は、成膜、エッチング、あるいは、表面変質等のプラズマを用いたプロセスの際、Xeを含むガスを用いて行うことを特徴とする。【課題】 本発明は、基板、あるいは、新たに基板上に堆積・形成する膜および基板の中に、イオン照射に起因して導入される欠陥を劇的に減少させるプラズマプロセス方法を提供することを目的とする。

Claim (excerpt)：

成膜、エッチング、あるいは、表面変質等のプラズマを用いたプロセスの際、Xeを含むガスを用いて行う半導体製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 29/78

FI (5)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/88 D ,  H01L 29/78 301 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• ドライエッチング方法及びドライエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-205974   Applicant：株式会社日立製作所
• 表面処理方法および表面処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-144862   Applicant：株式会社東芝
• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-028657   Applicant：ソニー株式会社
• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-107107   Applicant：京セラ株式会社
• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-358736   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平4-326730