Pat
J-GLOBAL ID:200903000572558539
半導体装置及びその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995048524
Publication number (International publication number):1996250718
Application date: Mar. 08, 1995
Publication date: Sep. 27, 1996
Summary:
【要約】【目的】二重拡散構造でかつゲート電極を有する半導体装置において製造後に個々の入出力特性を容易に調整できることを特徴とする。【構成】N- 型の基板11の表面にはP型のチャンネルウェル13が設けられ、このチャンネルウェル13内にはN+ 型のソース領域15が設けられている。さらに、このチャンネルウェル13上にはゲート酸化膜17を介してゲート電極18が設けられ、このゲート酸化膜17内において、ソース領域15と接する側のチャンネルウェル13の一部領域に対応した位置には、電位的に浮遊状態にされたフローティングゲート電極19が設けられている。
Claim (excerpt):
第1導電型の半導体基板と、上記半導体基板の主面に設けられた第2導電型の第1半導体領域と、上記第1半導体領域の主面に設けられた第1導電型の第2半導体領域と、ゲート酸化膜を介して上記第1半導体領域上に設けられた第1のゲート電極と、記ゲート酸化膜内で上記第2半導体領域と接する側の上記第1半導体領域の一部領域に対応した位置に設けられた電位的に浮遊状態の第2のゲート電極とを具備したことを特徴とする半導体装置。
IPC (4):
H01L 29/78
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
FI (4):
H01L 29/78 301 S
, H01L 29/78 301 J
, H01L 29/78 321 J
, H01L 29/78 371
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (9)
-
特表昭60-501187
-
特開昭53-117982
-
特開昭64-076769
-
しきい値電圧ばらつき修正方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-214021
Applicant:株式会社東芝
-
特開昭63-003503
-
特開平3-214779
-
特開平4-038878
-
MOSゲートを備える半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-096394
Applicant:株式会社東芝
-
不揮発性半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-204354
Applicant:三星電子株式会社
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Cited by examiner (9)
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特表昭60-501187
-
特開昭53-117982
-
特開昭64-076769
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しきい値電圧ばらつき修正方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-214021
Applicant:株式会社東芝
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特開昭63-003503
-
特開平3-214779
-
特開平4-038878
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MOSゲートを備える半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-096394
Applicant:株式会社東芝
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不揮発性半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-204354
Applicant:三星電子株式会社
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