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J-GLOBAL ID：200903000576639037

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 平瀬 順司 ,  相田 和彦 ,  粉谷 直樹 ,  岡崎 玄 ,  瀬部 紹夫 ,  竹岡 慎治
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (11)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006050158
Publication number (International publication number)：2007227851
Application date： Feb. 27, 2006
Publication date： Sep. 06, 2007
Summary：

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜を使用したMISFETにおいて高誘電率ゲート絶縁膜を劣化させることなくMISFETの特性を向上させる。【解決手段】基板1の活性領域上に高誘電率ゲート絶縁膜4Aを介してゲート電極5が形成されている。ゲート電極5の側面には、高誘電率を有する絶縁性サイドウォール7が形成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板の活性領域上に形成された高誘電率ゲート絶縁膜と、 前記高誘電率ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極の側面に形成された高誘電率絶縁性サイドウォールとを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301L

F-Term (45)：

5F140AA01 ,  5F140AA11 ,  5F140AA13 ,  5F140AA19 ,  5F140AA23 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD14 ,  5F140BD18 ,  5F140BE14 ,  5F140BF01 ,  5F140BF08 ,  5F140BF10 ,  5F140BG08 ,  5F140BG09 ,  5F140BG10 ,  5F140BG11 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG20 ,  5F140BG34 ,  5F140BG37 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BG56 ,  5F140BH14 ,  5F140BH15 ,  5F140BH36 ,  5F140BH38 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK22 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CE07